滝川 浩史(たきかわ ひろふみ)
所属 | 電気・電子情報工学系 |
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兼務 | 先端農業・バイオリサーチセンター 安全安心地域共創リサーチセンター 研究推進アドミニストレーションセンター |
職名 | 教授 |
専門分野 | プラズマ応用工学 / 薄膜/ナノ材料合成・表面処理 / 再生可能エネルギー |
学位 | 博士(工学)(豊橋技術科学大学) |
所属学会 | 電気学会 / 応用物理学会 / フラーレン・ナノチューブ研究会 / プラズマ応用科学会 / カーボンマイクロコイル研究会 / プラズマイオンフォーラム / 日本太陽エネルギー学会 / 日本真空協会 / ニューダイヤモンドフォーラム |
takikawa@ee ※アドレスの末尾に「.tut.ac.jp」を補完してください |
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研究室web | http://www.pes.ee.tut.ac.jp/ |
研究者情報(researchmap) | 研究者情報 |
研究テーマ(シーズ1)
真空アーク蒸着装置の開発と機能性薄膜合成
研究の技術分野 | 機械 電気・電子 金属・材料 医療・福祉 環境 ナノテクノロジー |
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研究の段階・状況 | A1 実用化・製品化まであと一歩 |
キーワード | 真空アーク イオンプレーティング プラズマ磁気輸送 ドロップレットフリー T-FAD |
提案者 | 滝川 浩史 電気・電子情報工学系 |
連絡先 | Tel :0532-44-6727 Fax :0532-44-6727 E-mail:takikawa@ee.tut.ac.jp URL :http://www.arc.ee.tut.ac.jp |
★真空アーク蒸着法
■固体を直接蒸発させ,イオンプレーティング。従って,動作ガス不要。高真空動作可。
■高イオンエネルギー(5eV縲鰀200eV)。膜の密着性大。
■坩堝不要。蒸発源の上下左右自由配置。
<合成膜> 高純度金属膜(Al, Ti, Cr, Ni, Cu, Zn, Sn, など)およびそれらの酸化物・窒化物・炭化物,DLC膜
★T字状プラズマ磁気輸送型真空アーク蒸着装置 《T-shape Filtered Arc Depositon: T-FAD》
■真空アーク蒸着法の唯一の欠点:ドロップレットの発生。このドロップレットをユニークなフィルターを用いて除去!
■ドロップレット除去にプラズマ磁気輸送を利用するため,ほとんど100%のイオンで成膜。リアルイオンプレーティング!
■PVD+CVDハイブリッド成膜可。
基本となる特許・解説記事・研究論文等
特許第3865570号 プラズマ加工法
特許第4424555号 DLC被覆工具
H. Takikawa, H. Tanoue: “Review of cathodic arc deposition for preparing droplet-free thin films”, IEEE Transactions on Plasma Science, Vol.35, No.4, pp.992-999 (2007)
H. Tanoue, et al.: “Argon-dominated plasma beam generated by filtered vacuum arc and its substrate etching”, Applied Surface Science,Vol.255,pp.7780-7785 (2009)
実施可能な共同研究の形態
共同研究の実施形態 :大学と企業の両方で実施
大学への研究員等の受入 :可能
企業への専門家等の派遣(不定期を含む):可能