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ホーム > 学部・大学院 > 教員紹介 > 電気・電子情報工学系 > 滝川 浩史(たきかわ ひろふみ)

滝川 浩史(たきかわ ひろふみ)

所属 電気・電子情報工学系
兼務 先端農業・バイオリサーチセンター
安全安心地域共創リサーチセンター
教育研究基盤センター
未来ビークルシティリサーチセンター
研究推進アドミニストレーションセンター
職名 教授/学長特別補佐(基金・卒業生連携担当)/教育研究基盤センター長
専門分野 プラズマ応用工学 / 薄膜/ナノ材料合成・表面処理 / 再生可能エネルギー
学位 博士(工学)(豊橋技術科学大学)
所属学会 電気学会 / 応用物理学会 / フラーレン・ナノチューブ研究会 / プラズマ応用科学会 / カーボンマイクロコイル研究会 / プラズマイオンフォーラム / 日本太陽エネルギー学会 / 日本真空協会 / ニューダイヤモンドフォーラム
E-mail takikawa@ee
※アドレスの末尾に「.tut.ac.jp」を補完してください
研究室web http://www.pes.ee.tut.ac.jp/
研究者情報(researchmap) 研究者情報

研究テーマ(シーズ1)
真空アーク蒸着装置の開発と機能性薄膜合成

研究の技術分野 機械 電気・電子 金属・材料 医療・福祉 環境 ナノテクノロジー
研究の段階・状況 A1 実用化・製品化まであと一歩
キーワード 真空アーク イオンプレーティング プラズマ磁気輸送 ドロップレットフリー  T-FAD
提案者 滝川 浩史  電気・電子情報工学系
連絡先 Tel :0532-44-6727
Fax :0532-44-6727
E-mail:takikawa@ee.tut.ac.jp
URL :http://www.arc.ee.tut.ac.jp

★真空アーク蒸着法
■固体を直接蒸発させ,イオンプレーティング。従って,動作ガス不要。高真空動作可。
■高イオンエネルギー(5eV縲鰀200eV)。膜の密着性大。
■坩堝不要。蒸発源の上下左右自由配置。
<合成膜> 高純度金属膜(Al, Ti, Cr, Ni, Cu, Zn, Sn, など)およびそれらの酸化物・窒化物・炭化物,DLC膜
★T字状プラズマ磁気輸送型真空アーク蒸着装置 《T-shape Filtered Arc Depositon: T-FAD》
■真空アーク蒸着法の唯一の欠点:ドロップレットの発生。このドロップレットをユニークなフィルターを用いて除去!
■ドロップレット除去にプラズマ磁気輸送を利用するため,ほとんど100%のイオンで成膜。リアルイオンプレーティング!
■PVD+CVDハイブリッド成膜可。

基本となる特許・開設記事・研究論文等

特許第3865570号 プラズマ加工法
特許第4424555号 DLC被覆工具
H. Takikawa, H. Tanoue: “Review of cathodic arc deposition for preparing droplet-free thin films”, IEEE Transactions on Plasma Science, Vol.35, No.4, pp.992-999 (2007)
H. Tanoue, et al.: “Argon-dominated plasma beam generated by filtered vacuum arc and its substrate etching”, Applied Surface Science,Vol.255,pp.7780-7785 (2009)

実施可能な共同研究の形態

共同研究の実施形態          :大学と企業の両方で実施
大学への研究員等の受入        :可能
企業への専門家等の派遣(不定期を含む):可能


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