研究紹介

Siベースのフォトニック集積チップは、低消費電力で大容量、かつ低コストで製造できるため、現在、データセンターの短距離光ファイバ通信に広く使用されています。Si上にGe層をエピタキシャル成長させた近赤外ピン型光検出器（PD）は，Siフォトニクスの基本的な構成要素の一つである。本研究では、Si技術をベースにしたGe PDの高結晶品質と低コスト製造に焦点を当てています。

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