IT社会を支える情報通信機器、電気自動車など、私たちの生活は電気で動く製品が私たちの生活に入ってきました。こうした電化製品を動かす電力の供給源も、これまでの発電・送電技術に加え、太陽電池や大容量バッテリーなど、様々な選択が広がってきました。電力を多様な供給源から目的にあわせて効率的に変換し供給する上で、高効率なパワーデバイスの実現が求められ、窒化物半導体電子デバイスは、電力制御などの優れた特性をもち、実用化に向けた検討がなされています。
　本研究では、窒化物半導体がもつ特性を引き出す、新しいデバイスプロセス技術の開発を目的として、信頼性の高い絶縁膜のダメージレス形成や、イオン注入法などの技術を応用したデバイス開発、プロセスダメージの評価などの研究を行っています。

窒化物半導体は広いバンドギャップを有し、化学的に安定、高温でも動作可能などの特性を有しています。こうした特色をもつ窒化物半導体を基盤材料として、シリコン集積回路との組み合わせや、ナノ金属触媒やカーボン系ナノ材料の適用、イオン注入による異種元素材料の添加により、従来技術では到達できないセンサなど新規電子デバイスの実現が期待できます。