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石川 靖彦(いしかわ やすひこ)

所属 電気・電子情報工学系
兼務
職名 教授
専門分野 半導体デバイス、シリコンフォトニクス
学位 博士(工学)(北海道大学)
所属学会 応用物理学会、IEEE、SPIE、MRS、ECS
E-mail ishikawa@ee
※アドレスの末尾に「.tut.ac.jp」を補完してください
研究室web http://www.int.ee.tut.ac.jp/photon/

研究紹介

情報通信の一層の低電力化・大容量化に必須となる集積光デバイスの実現を目指して、シリコンLSIプロセスを利用した微細光デバイス作製技術「シリコンフォトニクス」の研究を行っています。従来のディスクリート光デバイスに匹敵する高性能な近赤外受発光デバイスを、パッシブ光デバイス(微小光導波路や合分波器など)と一体化してシリコンチップ上へ集積する研究を進めています。世界最高水準のシリコンゲルマニウムエピタキシャル成長技術に基づき、IV族半導体薄膜による光機能の開拓を行い、従来にないシリコン上光デバイスの提案、プロセス技術開発とデバイス作製、ならびにデバイスの動作実証を一貫して行っています。システムとしてのプロトタイプ化を産官学との共同研究により推進するとともに、高度計測技術としての展開を図ります。

テーマ1:Si系光導波路

概要

SiやSi窒化膜を用いた光導波路によって、Siチップ上で自在に光を伝搬でき、大容量の光通信チップ(波長1.3 - 1.6 µm)やAIチップのような高性能LSI用の光配線が実現できます。従来のSOI(Si-on-insulator)ウエハを用いる方法に加え、標準的なSiウエハを利用する技術の開発を目指しています。

テーマ2:Si上Ge受光器

概要

Siチップ上を伝搬した光信号をLSIで処理するには、光信号を電気信号に変換する受光器をSi上に作製する必要があります。GeはSiと同じIV族半導体であり、Siプロセスと整合性が良い特長があります。高品質Geエピタキシャル層を用いた集積受光器を実現しています。

テーマ3:新規Si上Ge光デバイス

概要

Geは間接遷移型半導体で発光デバイスへの応用に向かないとされてきましたが、バンド構造を工学的に制御することにより、直接遷移型半導体に類似した優れた光学特性を引き出すことが可能となります。光の強度や位相を制御する光変調器や発光素子(特にレーザー)など革新的な光デバイスの実現を目指しています。

担当授業科目名(科目コード)

集積回路工学
集積電子システム論
理工学実験


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