電気・電子情報工学専攻博士後期課程3年 土山和晃さんの研究成果が、オンラインマガジン 「Semiconductor Today」に掲載されました。

10月12日に、電気・電子情報工学専攻博士後期課程3年 土山和晃さんの研究成果が、半導体分野の最新トピックスを集めたオンラインマガジン 「Semiconductor Today」に掲載されました。

限界を迎えている集積回路技術のブレークスルーとして、シリコン集積回路と窒化ガリウム(GaN)発光ダイオードを一体化した、超大規模な光・電子融合チップを提案し、新しい基板の開発から基本単位回路の試作と実証動作に成功した研究成果が紹介されています。

今回の掲載は、世界中の半導体分野の研究発表の中で、特に注目すべき論文であると認められたことによるものです。

詳しくはこちら（「Semiconductor Today」） をご覧ください（英語）。