テーラーメイド・バトンゾーン教育プログラムの一環として、株式会社富士通研究所フェロー 三村高志博士による講演を実施します。

2010年6月22日

テーラーメイド・バトンゾーン教育プログラムの一環として、株式会社富士通研究所フェロー 三村高志博士による講演を実施します。

平成22年4月より新しい人材育成プログラム、テーラーメイド・バトンゾーン教育プログラムをスタートしました。このプログラムは、次代を担う社会のリーダーを企業と協働しつつ育成することを目的とした独自の博士課程プログラムです。

このプログラムでは、実社会で高度の専門性を活かして、環境、経済、技術情勢などの変化に対応して社会変革、産業技術の創出、公共社会の発展や科学・技術の進歩などを担う社会のリーダーとしての資質やマネージメント力の涵養を目標として、社会の各分野で活躍するリーダーによるテーラーメイド・バトンゾーン講演を開催します。

第二回目に当たる今回は、技術開発のトップとして、衛星放送、携帯電話、GPSなど大容量高速無線通信を可能とした超高速素子“高電子移動度トランジスタ（HEMT, High Electron Mobility Transistor）”の発明で世界的に著名な、株式会社富士通研究所フェロー 三村高志博士を講師に招き、下記の要領で講演を開催します。

テーラーメイド・バトンゾーン講演

講師：株式会社富士通研究所フェロー　工学博士　三村高志氏

講演テーマ：『企業の研究開発において経験したこと、考えたこと　－高速トランジスタHEMTを例として－』

日時：平成22年6月22日（火）　14:50～16:10

場所：講義棟  A2-201

聴講自由

本件に関する連絡先:

テーラーメイド・バトンゾーン教育推進本部　石井特任教授　TEL:0532-81-5116